PT-IGBT相关论文
本文阐述了在高温栅偏压(HTGB)和高温反偏压(HTRB)应力条件下对穿通型(PT)IGBT性能的影响。在140℃、经历1200小时完成应力试验。......
ITC-IGBT是新一类IGBT,它在PT-IGBT结构基础上,在集电区近集电结附近引入一局域载流子寿命控制（LCLC）层,只要该层内载流子寿命足够低......
本文对一种新的IGBT结构——“内透明集电区IGBT”（ITC-IGBT）进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型......
对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集......
本文介绍了用TMS320C5402在线擦写Flash芯片的方法。硬件电路选用DRAM芯片IS61LV25616AL（256K×16bits）作为片外程序存储器，以提......
本文首次对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真。这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上......
首次对600V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较。ITC-IG......
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT......
